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1月23日消息,据韩国媒体Thelec报道,电子第七代高带宽内存HBM4E 已完成基底芯粒(base die)的前段设计,并正式进入后段(back-end)实体
随着高带宽内存(HBM)技术竞赛进入白热化阶段,存储芯片巨头正加速向定制化 HBM4E 领域布局。三星电子已显著加大研发投入,预计将在 2026 年年中完成其定
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